なんでも半導体の表面にレーザー光パルスを照射するとテラヘルツ波という波が発生し、それを解析すると半導体表面の電場状況が判るということです？？？。テラヘルツ波と言うのは光なのか電波なのか良く判りません（多分、光だろう）。照射するレーザー光はフェムト秒レベルの極超短時間なので、それによって起こる半導体内部のダイナミックな変化がテラヘルツ波に反映されるようです？？？。

ついでに表面をコロナ放電で帯電させておくと、いろいろ異なる条件を作ることができるので、それぞれのレーザーテラヘルツ波を測定することで表面電場の解析が行えるようです？？？。非接触、非破壊で実験できるところがミソですかね。

半導体分野では表面や界面が動作に影響を与えるとよく言われてきました。ただ実験で確かめるのが難しく、想像で考えていることが多かったように思います。それがこの方法で実験的に評価できるようになると技術向上に貢献できる可能性は大です。

素晴らしい！？〇△？□！・・・、が、まぁ、研究員でなければあまり細かいところまで理解しなくても良いとは思います。

ちょっと気になるのは、実験に使われている太陽電池は表面に絶縁体がある構造となっている点です。これだと対象がPERCやバックコンタクトの太陽電池に限られるような気がします。日本でPERCやっているところあったかなぁ・・・。HITには使いにくそうですしね。HITでもバックコンタクト構造が考えられていますから、その時に使えるぐらいかな。

この研究陣は産総研、大阪大学など日本を代表する研究機関ですから、日本の会社の役に立つような技術を開発して欲しいと思うのですが、私の考え方、日本ファーストなのでしょうか？